GaNの研究開発
研究成果のご紹介
◆2019年 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業
中核拠点及び各領域の記者発表内容は次のとおりです。
・中核拠点（名古屋大学）
・パワーデバイス・システム領域（名古屋大学）
・高周波デバイス・システム領域（名古屋大学）
・レーザーデバイス・システム領域（名城大学）
・評価基盤領域（物質・材料研究機構）
◆2018年 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業
中核拠点及び各領域の記者発表内容は次のとおりです。
・中核拠点（名古屋大学）
・パワーデバイス・システム領域（名古屋大学）
・レーザーデバイス・システム領域（名城大学）
・評価基盤領域（物質・材料研究機構）