設立の背景

現在、世界中でパワーエレクトロニクスに関する研究開発競争が激化しています。GaNの研究開発は、わが国が世界をリードしていますが、結晶成長、欠陥・界面制御、物性値の明確化、信頼性決定要因など、基礎的にも解明すべき課題が多く、基礎的な「知」に裏打ちされた技術開発が必要とされています。また、アプリケーションに関しても、GaNの優れた特性を生かした応用分野の開拓を積極的に行っていく必要があります。

従って、テクノロジーコンセプトやアプリケーションの明確化が必要な技術段階（TRL 2）から、その技術的検証が可能となる技術段階（TRL 6）までをターゲットとした研究開発体制の構築が必要です。

GaNコンソーシアムでは、産学官のオールジャパン体制を構築し、GaN応用に関する基礎研究から応用研究を加速することで、省エネルギー社会の実現に貢献いたします。