ニュース&イベント情報
第3回GaNデバイス研究会開催のご案内
- イベント
- 2026/10/05
令和8年10月5日
（一社）GaNコンソーシアム 事務局長
新井 学
第3回GaNデバイス研究会開催のご案内
（一社）GaNコンソーシアムでは、GaNデバイス（パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス）のR＆Dを
加速するための技術情報と、それに伴う専門的な議論の場を提供するため、本年度も第3回GaNデバイス研究会を
開催する運びとなりました。
この研究会は、デバイス分野のみならず、結晶成長・評価等の研究者も含めて、専門性の深掘りをしつつ総合的
にGaNデバイス開発を推進する研究会を目指しております。
当日は講演に加えインダストリアルセッション、ポスターセッション、参加者同士の交流を深める懇親会を開催
いたします。
会員の皆様におかれましては、万障お繰り合わせの上、ご参加賜りますようお願い申し上げます。
また、本研究会について、貴機関の関係者の皆様へ広く周知していただけますと幸いです。
記
「第3回GaNデバイス研究会」
1. 開催概要
◆日 時： 2026年12月21日（月） 13:00 ～ 18:30（受付開始 12:30）
◆場 所： 名古屋大学 野依記念学術交流館
◆参加費：GaNコンソーシアム会員：無料
名古屋大学教員、学生 ：無料
GaNコンソーシアム会員外：10,000円（税込）／1人
◆懇親会費： 3,000円（税込）／1人（17:30～18:30 ※ポスターセッションと同一会場）
※参加費及び懇親会費は当日、会場受付にて徴収させていただきます。
おつりのないようご準備いただけますと幸いです。
2. プログラム
12:30–13:00 受付
13:00–13:05 オープニング（開会挨拶） 名古屋大学 教授 須田 淳
13:05–13:45 仮題「データーセンターにおけるパワーエレクトロニクス」 名古屋大学 准教授 今岡 淳
13:45–14:25 仮題「モビリティにおけるパワーエレクトロニクス」 東北大学 教授 高橋 良和
14:25–15:05 「テラヘルツ波応用の動向と将来展望」 理化学研究所 チーム・ディレクター 南出 康亜
15:05–15:15 休憩
15:15–15:30 仮題「パワーデバイス国際会議報告」 名古屋大学 教授 須田 淳
15:30–15:45 仮題「高周波デバイス国際会議報告」 名古屋大学 特任教授 原 信二
15:45–16:00 「GaN系光デバイスの国際的な学術動向」 名城大学 教授 岩谷 素顕
16:00–16:50 インダストリアルセッション・ショートプレゼンテーション（企業・機関／3～5分程度）
※ご発表（登壇）はGaNコンソーシアム会員の方限定となります（一般の方の聴講・見学は歓迎いたします）
16:50–17:00 クロージング（閉会挨拶等） 名古屋大学 特別教授 天野 浩（GaNコンソーシアム代表理事）
17:00–18:30 ポスターセッション（企業・学生）
※ご発表（展示）はGaNコンソーシアム会員の方限定となります（一般の方の聴講・見学は歓迎いたします）
17:30–18:30 懇親会 ※ポスターセッションと同一会場
■ お申し込み方法
・「第3回GaNデバイス研究会」及び「懇親会」のご参加は、下記URLよりご登録くださいますようお願い
いたします。
申込URL：https://forms.gle/WoQpBvejWT2Bqq4V8
申込期限： 2026年12月11日（金）
※セキュリティ上の理由等によりGoogleフォームにアクセスできない場合は、大変お手数ですがメール
にてお申込みくださいますようお願いいたします。
【問い合わせ先】
一般社団法人GaNコンソーシアム事務局
E-MAIL: info@gan-conso.jp
（電話 050-3625-7503）
（一社）GaNコンソーシアム 事務局長
新井 学
第3回GaNデバイス研究会開催のご案内
（一社）GaNコンソーシアムでは、GaNデバイス（パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス）のR＆Dを
加速するための技術情報と、それに伴う専門的な議論の場を提供するため、本年度も第3回GaNデバイス研究会を
開催する運びとなりました。
この研究会は、デバイス分野のみならず、結晶成長・評価等の研究者も含めて、専門性の深掘りをしつつ総合的
にGaNデバイス開発を推進する研究会を目指しております。
当日は講演に加えインダストリアルセッション、ポスターセッション、参加者同士の交流を深める懇親会を開催
いたします。
会員の皆様におかれましては、万障お繰り合わせの上、ご参加賜りますようお願い申し上げます。
また、本研究会について、貴機関の関係者の皆様へ広く周知していただけますと幸いです。
記
「第3回GaNデバイス研究会」
1. 開催概要
◆日 時： 2026年12月21日（月） 13:00 ～ 18:30（受付開始 12:30）
◆場 所： 名古屋大学 野依記念学術交流館
◆参加費：GaNコンソーシアム会員：無料
名古屋大学教員、学生 ：無料
GaNコンソーシアム会員外：10,000円（税込）／1人
◆懇親会費： 3,000円（税込）／1人（17:30～18:30 ※ポスターセッションと同一会場）
※参加費及び懇親会費は当日、会場受付にて徴収させていただきます。
おつりのないようご準備いただけますと幸いです。
2. プログラム
12:30–13:00 受付
13:00–13:05 オープニング（開会挨拶） 名古屋大学 教授 須田 淳
13:05–13:45 仮題「データーセンターにおけるパワーエレクトロニクス」 名古屋大学 准教授 今岡 淳
13:45–14:25 仮題「モビリティにおけるパワーエレクトロニクス」 東北大学 教授 高橋 良和
14:25–15:05 「テラヘルツ波応用の動向と将来展望」 理化学研究所 チーム・ディレクター 南出 康亜
15:05–15:15 休憩
15:15–15:30 仮題「パワーデバイス国際会議報告」 名古屋大学 教授 須田 淳
15:30–15:45 仮題「高周波デバイス国際会議報告」 名古屋大学 特任教授 原 信二
15:45–16:00 「GaN系光デバイスの国際的な学術動向」 名城大学 教授 岩谷 素顕
16:00–16:50 インダストリアルセッション・ショートプレゼンテーション（企業・機関／3～5分程度）
※ご発表（登壇）はGaNコンソーシアム会員の方限定となります（一般の方の聴講・見学は歓迎いたします）
16:50–17:00 クロージング（閉会挨拶等） 名古屋大学 特別教授 天野 浩（GaNコンソーシアム代表理事）
17:00–18:30 ポスターセッション（企業・学生）
※ご発表（展示）はGaNコンソーシアム会員の方限定となります（一般の方の聴講・見学は歓迎いたします）
17:30–18:30 懇親会 ※ポスターセッションと同一会場
■ お申し込み方法
・「第3回GaNデバイス研究会」及び「懇親会」のご参加は、下記URLよりご登録くださいますようお願い
いたします。
申込URL：https://forms.gle/WoQpBvejWT2Bqq4V8
申込期限： 2026年12月11日（金）
※セキュリティ上の理由等によりGoogleフォームにアクセスできない場合は、大変お手数ですがメール
にてお申込みくださいますようお願いいたします。
【問い合わせ先】
一般社団法人GaNコンソーシアム事務局
E-MAIL: info@gan-conso.jp
（電話 050-3625-7503）