第1回「GaNデバイス研究会」「GaN交流会」開催のご案内

   GaNコンソーシアムでは、名古屋大学未来材料・システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センターとの共催により、GaNデバイス（パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス）のR＆Dを加速するための技術情報（国際学会情報、最新装置の紹介、周辺技術の紹介等）と、それに伴う専門的な議論の場を提供するため、「GaNデバイス研究会」を開催いたします。この研究会は、デバイス分野のみならず、結晶成長・評価、研究者も含めて、専門性の深堀りをしつつ総合的にGaNデバイス開発を推進する研究会を目指しております。
　また、GaNデバイス研究会終了後には、参加者同士の交流を深めると共に活動の活性化を図るため、「GaN交流会」を開催いたします。GaN交流会では各企業・機関の紹介の機会（ショートプレゼンテーション・ポスター展示）を設けたいと考えております。

   多くの方のご参加を賜りたく存じます。

１．第１回GaNデバイス研究会
　　日時　：12月18日（水）　13：30ー16：10
　　場所　：名古屋大学内　野依記念学術交流館１F
　　参加費：GaNコンソーシアム会員　：無料
　　　　　　GaNコンソーシアム会員外：￥20,000【税込】

２．GaN交流会
　　日時　：12月18日（水）　16：30ー18：30
　　場所　：名古屋大学内　野依記念学術交流館１F
　　参加費：GaNコンソーシアム会員　：￥3,000【税込】
　　　　　　GaNコンソーシアム会員外：￥3,000【税込】

プログラム詳細は、パンフレットよりご確認いただけます。
GaNデバイス研究会・GaN交流会への参加申込は下記リンク先、またはパンフレット内の申込フォーム（QRコード）よりご登録くださいますようお願いいたします。

★パンフレット↓
 第１回GaNデバイス研究会・GaN交流会パンフレット 
★GaNデバイス研究会・GaN交流会参加申込フォーム↓
【申込期限：12月16日(月)】
2024年度第1回「GaNデバイス研究会」「GaN交流 - Google フォーム