GaNコンソーシアム理事 名古屋大学 天野教授が組織委員会委員長、
GaNコンソーシアムが共催の、国際会議の開催についてお知らせします。

会議名：ワイドギャップ半導体の成長、プロセス、およびデバイスシミュレーションに関する
国際シンポジウム（International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth,
Process and Device Simulation 2021：ISWGPD 2021）

開催日：2021年1月19日から21日（JST）

開催形態：オンライン（Zoom)

内容：本シンポジウムでは、ワイドバンドギャップ半導体（III族窒化物、SiC、酸化物、ダイヤモンドなど）に
関する結晶成長、プロセス、およびデバイスシミュレーションにおける影響力の大きい技術の進歩を紹介します。

参加登録費：無料

お申込み、詳細内容については、下記の学会HPをご覧ください。

https://sites.google.com/view/iswgpds2021/