GaNコンソーシアム

GaNの研究開発

研究成果

◆2019年 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業

 中核拠点及び各領域の記者発表内容は次のとおりです。


 ・中核拠点(名古屋大学)
 ・パワーデバイス・システム領域(名古屋大学)
 ・高周波デバイス・システム領域(名古屋大学)

 ・レーザーデバイス・システム領域(名城大学)
 ・評価基盤領域(物質・材料研究機構)


◆2018年 文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業

 中核拠点及び各領域の記者発表内容は次のとおりです。


 ・中核拠点(名古屋大学)
 ・パワーデバイス・システム領域(名古屋大学)
 ・レーザーデバイス・システム領域(名城大学)
 ・評価基盤領域(物質・材料研究機構)