GaN研究コンソーシアム

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【ご案内】第110回研究会・特別公開シンポジウム

  • 2018/07/30
第110回研究会・特別公開シンポジウムのご案内

標記の件につきまして、以下のとおり開催されますので、皆様にご案内申し上げます(当コンソーシアムが協賛させていただいております)。

参加を希望される方は以下のHPからお申し込みください。
(学振162委員:(同伴者を含む)に関しては、別途学振事務局からお申し込みを受け付けますのでHPからの参加申し込みは不要です)。

定員に達したら締切りますのでお早目にお申し込みください。

※ 学生の方は参加費がナイトライド基金からサポートされるため、無料になります。
※ 40歳未満の研究者で参加費援助の希望者はIWUMD2017からサポートされます。

是非多くの皆様のご参加をお待ちしています。

http://jsps162.jpn.org/

http://jsps162.jpn.org/specialsymposium_2018.html


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【概要】
特別公開シンポジウム「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」

◆日程 2018年9月27日(木)~9月28日(金)
◆会場 東京大学
◆参加費
 参加費:学振162会員(産業界会員の同伴者を含む):無料
     学生:無料
     一般(学振162会員以外):18,000円
 意見交換会参加費:3,000円

◆主催 
独立行政法人 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス 第162委員会

◆協賛 
GaN研究コンソーシアム
(社)応用物理学会 結晶工学分科会・応用電子物性分科会

◆謝辞
謝辞: 本シンポジウムを開催するにあたり、ナイトライド基金、IWUMD2017
からのサポートを受けています。

◆世話人
平山 秀樹(理研):主査
岩谷 素顕(名城大学):特別事業幹事

◆お問い合わせ先
名城大学 岩谷素顕
e-mail iwaya@meijo-u.ac.jp