第2回「GaNデバイス研究会」・「GaNコンソーシアム交流会」開催のご案内

GaNコンソーシアムでは、GaNデバイス（パワーデバイス、高周波デバイス、光デバイス）
のR＆Dを加速するための技術情報（国際学会情報、最新装置の紹介、周辺技術の紹介等）と、
それに伴う専門的な議論の場を提供するため、第2回「GaNデバイス研究会」を開催いたします。
この研究会は、デバイス分野のみならず、結晶成長・評価、研究者も含めて、専門性の深掘りを
しつつ総合的にGaNデバイス開発を推進する研究会を目指しております。
また、GaNデバイス研究会終了後には、参加者同士の交流を深めると共に活動の活性化を図るため、
「GaNコンソーシアム交流会」を開催いたします。
GaNコンソーシアム交流会では企業9社によるインダストリアルセッション、企業10社・学生9名の
ポスター展示を行います。

是非ご参加くださいますよう、お願い申し上げます。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
 

 

　　１．GaNデバイス研究会
　　GaNデバイス（パワー、高周波、光デバイス）の最新技術動向や国際会議報告などをテーマに、専門的な講演を行います。
　　日　時：12月22日（月）13：00-15：55（12：30～13：00　受付）
　　場　所：名古屋大学　理学南館　坂田・平田ホール
　　参加費：GaNコンソーシアム会 員：無料
　　　　  　 GaNコンソーシアム会員外：¥10,000/1人【税込】
　　　　　　※会員外の方の参加費につきましては、　
　　　　　　当日、会場受付にて現金でお支払いをお願いいたします。
　　　　　　恐れ入りますが、あらかじめご準備くださいますようお願い申し上げます。  
 
  プログラム
　　(13:00-13:05） 　オ ープニング　研究会の趣旨
　　　　　　　　　　　　           
　　(13:05-13:35） 　「GaNパワーデバイスの最近の進展」
　　　　　　　　　　　　           加地　徹（名古屋大学　特任教授）
　　(13:35-14:05）     「深紫外レーザーダイオード技術の現状と将来展望」 
　　　　　　　　　　　              吉川　陽 （ULTEC株式会社　CEO）
　　(14:05-14:35） 　 「SiCウエハ加工の基礎と応用
　　　　　　　　　　　ーGaN材料への展開可能性を探るー」
　　　　　　　　　　                  河田　研治  （株式会社斉藤光学製作所　技術顧問）
 　　　　　　　　　　　  　　　　　         　   (日本エンギス株式会社　技術顧問）
    　(14:35-14:50）    〈休憩〉
 
    　(14:50-15:10）    「ミリ波化合物半導体デバイスの研究動向と回路設計課題」
　　　　　　　　　　　　　       原　信二（名古屋大学 特任教授）
　　(15:10-15:30）    「国際会議報告　パワーエレクトロニクス技術動向」
       　　　　　　　       　　       須田　淳 （名古屋大学 教授）
　　(15:30-15:50） 　「GaN系光デバイスの国際的な学術動向」
　　　　　　　　　　　　          岩谷　素顕（名城大学　教授）
　　(15:50-15:55）    クロージング
 

　　

２．GaNコンソーシアム交流会（軽食付き）
　　※GaNコンソーシアム会員のみの参加となります。

　　参加者同士の交流を深め、活動の活性化を図るためのネットワーキングの場です。
　　機関紹介（ショートプレゼンテーション・ポスター展示）も行われます。
　　日　時：12月22日（月）16：00-18：30
　　場　所：名古屋大学　理学南館　坂田・平田ホール
　　参加費：GaNコンソーシアム会員のみ：￥3,000/1人【税込】
　　　　　　※当日、会場受付にて現金でお支払いをお願いいたします。
　　　　　　恐れ入りますが、あらかじめご準備くださいますようお願い申し上げます。
 
  プログラム
    (16:00-16:05）    オープニング
            　　                  
    (16:05-17:05）    インダストリアルセッション
　　　　　　                  ショートプレゼンテーション (機関／3分程度）
    (17:05-18:30）     ポスター展示　　　　　　　　　           
　(18:30）　　　　  クロージング
 
第2回GaNデバイス研究会（講演概要）・GaNコンソーシアム交流会開催案内  
GaNコンソーシアム交流会　ポスター展示リスト

◆参加申込について◆

申込締切は12月17日（水）です。
ご参加を希望される方は、お早めに下記申込フォームよりご登録をお願いいたします。

第2回GaNデバイス研究会・GaNコンソーシアム交流会参加申込 
 

セキュリティー上、Googleフォームからの接続が難しい方は下記にご入力の上、ご返信ください。

氏名：
会社名：
所属：
メールアドレス：
TEL：
所属機関でのご立場をご入力ください：
（例　GaNコンソ会員企業職員、大学教員・大学職員・学生等）
GaNデバイス研究会に参加されますか？：
GaNコンソーシアム交流会に参加されますか？：


【問い合わせ先】（一社）GaNコンソーシアム事務局
 　E-MAIL: info@gan-conso.jp （電話 050-3625-7503 ） 
　担当：坪井、片桐、佐々木