いつも大変お世話になっております。
電子デバイスWGの主査をしております星　真一と申します。

2019年10月に一般社団法人化されたGaNコンソーシアムでは、その前身であるGaN研究コンソーシアムのWGを再編して新たに電子デバイスWGを発足させました。電子デバイスWGでは、GaNパワーデバイス技術、高周波デバイス技術、その他デバイス技術に関連した最新情報を共有しています。
今年度の研究会として、昨年末12月のIEDMでご発表された内容について、下記の方にご講演いただけることになりました。

ご興味がございましたら、2025年3月17日（月）までに参加登録をお願い致します。

　　　　　　　　　　　　　　記


◆開催日　　2025年3月19日（水）　15:00～17:15

◆開催方法　ハイブリット開催

◆対象者　　GaNコンソーシアムの会員（正会員・賛助会員）の機関に所属する方

◆講演内容(講演者敬称略）―　質疑35分　質疑　10分を予定しています

    1. 15:00-15:45
　　　パナソニックホールディングス　鳥居 直生 様
　　　IEDM2024のご発表題名

　「Low RonCrss Nomally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate 　
　　Using p-GaN Shield Structure for High-Power and High-Speed
　　Switching」
　
    2. 15:45-16:30
　　　富士電機株式会社　近藤　剣 様
　　　IEDM2024のご発表題名

　「Drastic Mobility Enhancement of GaN MOSFETs with Graded AlGaN
　　Buried-Channel Formed by Aluminum Thermal Diffusion」


    3. 16:30-17:15
　　　豊田中央研究所　伊藤 健治 様
　　　IEDM2024のご発表題名

　　「High channel mobility and stable E-mode operation in AlSiO/AlN/　　
　　m-plane p-type GaN MOSFETs with little temperature dependence of
　　the threshold voltage」


　◆申込締切　2025年3月17日（月）

詳細は会員専用ページに掲載いたします。

【問い合わせ先】 　
一般社団法人ＧａＮコンソーシアム事務局
〒464-8601　名古屋市千種区不老町１番 　国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学内
エネルギー変換エレクトロニクス研究館（C-TECs）302号室 　
TEL : 050-3625-7503 　E-mail : info@gan-conso.jp