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国際会議(ISWGPD2021)開催のお知らせ

  • ご案内
  • 2020/12/02
GaNコンソーシアム理事 名古屋大学 天野教授が組織委員会委員長、
GaNコンソーシアムが共催の、国際会議の開催についてお知らせします。

会議名:ワイドギャップ半導体の成長、プロセス、およびデバイスシミュレーションに関する
国際シンポジウム(International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth,
Process and Device Simulation 2021:ISWGPD 2021)

開催日:2021年1月19日から21日(JST)

開催形態:オンライン(Zoom)

内容:本シンポジウムでは、ワイドバンドギャップ半導体(III族窒化物、SiC、酸化物、ダイヤモンドなど)に
関する結晶成長、プロセス、およびデバイスシミュレーションにおける影響力の大きい技術の進歩を紹介します。

参加登録費:無料

お申込み、詳細内容については、下記の学会HPをご覧ください。

https://sites.google.com/view/iswgpds2021/